PJF60R620E_T0_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJF60R620E_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJF60R620E_T0_00001-DG

Descripción:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 1.04W (Ta), 45W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventario:

12970702
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PJF60R620E_T0_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
457 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.04W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
PJF60R620E

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PJF60R620E_T0_00001

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJP7NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO3454

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

stmicroelectronics

STI33N60M6

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOB600A70FL

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263