Número de Producto del Fabricante:
PJD55N03_L2_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PJD55N03_L2_00001-DG
Descripción:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta), 55A (Tc) 2W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12970638
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ENVIAR
PJD55N03_L2_00001 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
763 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
PJD55
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3757-PJD55N03_L2_00001TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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