Número de Producto del Fabricante:
PJD4NA65H_L2_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PJD4NA65H_L2_00001-DG
Descripción:
650V N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12973026
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ENVIAR
PJD4NA65H_L2_00001 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
423 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
PJD4NA65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3757-PJD4NA65H_L2_00001DKR
3757-PJD4NA65H_L2_00001CT
3757-PJD4NA65H_L2_00001TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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