PJD25P03_L2_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJD25P03_L2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJD25P03_L2_00001-DG

Descripción:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 6.5A (Ta), 25A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

12970101
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PJD25P03_L2_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
PJD25

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3757-PJD25P03_L2_00001DKR
3757-PJD25P03_L2_00001TR
3757-PJD25P03_L2_00001CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJW5P06A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP3NA80_T0_00001

800V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJA3411-AU_R2_000A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJL9410_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M