RFD4N06LSM9A

Número de Producto del Fabricante:

RFD4N06LSM9A

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

RFD4N06LSM9A-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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12858200

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RFD4N06LSM9A Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

600mOhm @ 1A, 5V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

8 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±10V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

30W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252AA

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base

RFD4N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

RFD4N06LSM9A-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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