Número de Producto del Fabricante:
NXH010P120MNF1PTNG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NXH010P120MNF1PTNG-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Inventario:
12973676
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ENVIAR
NXH010P120MNF1PTNG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
114A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 40mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
454nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4707pF @ 800V
Potencia - Máx.
250W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Número de producto base
NXH010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
28
Otros nombres
488-NXH010P120MNF1PTNG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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