NVMJS1D5N04CLTWG
Número de Producto del Fabricante:

NVMJS1D5N04CLTWG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVMJS1D5N04CLTWG-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Inventario:

12840840
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NVMJS1D5N04CLTWG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-LFPAK
Paquete / Caja
SOT-1205, 8-LFPAK56
Número de producto base
NVMJS1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NVMJS1D5N04CLTWGOS
NVMJS1D5N04CLTWGOS-DG
NVMJS1D5N04CLTWGOSTR
NVMJS1D5N04CLTWGOSCT
NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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