Número de Producto del Fabricante:
NVMFS6H852NWFT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFS6H852NWFT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventario:
12858673
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVMFS6H852NWFT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 45µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base
NVMFS6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS6H852NWFT1GDKR
488-NVMFS6H852NWFT1GCT
NVMFS6H852NWFT1G-DG
488-NVMFS6H852NWFT1GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PCP1403-TD-H
MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89/PCP-1
NTD18N06-001
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
SCH1334-TL-H
MOSFET P-CH 12V 1.6A 6SCH
