Número de Producto del Fabricante:
NVMFS5C442NLWFAFT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFS5C442NLWFAFT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 130A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventario:
12842550
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ENVIAR
NVMFS5C442NLWFAFT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Ta), 130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base
NVMFS5
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
NVMFS5C442NLWFAFT1G-DG
488-NVMFS5C442NLWFAFT1GCT
488-NVMFS5C442NLWFAFT1GTR
488-NVMFS5C442NLWFAFT1GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NVMFS5C442NLAFT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1278
NÚMERO DE PIEZA
NVMFS5C442NLAFT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
PJQ5440-AU_R2_000A1
FABRICANTE
Panjit International Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
5988
NÚMERO DE PIEZA
PJQ5440-AU_R2_000A1-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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