NVH082N65S3F
Número de Producto del Fabricante:

NVH082N65S3F

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVH082N65S3F-DG

Descripción:

SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

12972775
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NVH082N65S3F Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III, FRFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NVH082N65S3F

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJW5N10_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

panjit

PJQ5476AL_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJW7N06A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M