NVBG030N120M3S
Número de Producto del Fabricante:

NVBG030N120M3S

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVBG030N120M3S-DG

Descripción:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventario:

780 Pcs Nuevos Originales En Stock
13255996
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NVBG030N120M3S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
77A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NVBG030N120M3S

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NVBG030N120M3STR
488-NVBG030N120M3SCT
488-NVBG030N120M3SDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NTBG030N120M3S
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
797
NÚMERO DE PIEZA
NTBG030N120M3S-DG
PRECIO UNITARIO
11.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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