Número de Producto del Fabricante:
NTTFS4H07NTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTTFS4H07NTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventario:
12839871
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ENVIAR
NTTFS4H07NTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.5A (Ta), 66A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
771 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
NTTFS4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
ONSONSNTTFS4H07NTWG
2156-NTTFS4H07NTWG-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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