Número de Producto del Fabricante:
NTP6412ANG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTP6412ANG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
114 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938885
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ENVIAR
NTP6412ANG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18.2mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
NTP6412
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
NTP6412ANGOS
ONSONSNTP6412ANG
2156-NTP6412ANG-OS
NTP6412ANG-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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