Número de Producto del Fabricante:
NTMTSC4D2N10GTXG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMTSC4D2N10GTXG-DG
Descripción:
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventario:
2655 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974644
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ENVIAR
NTMTSC4D2N10GTXG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 178A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 450µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10450 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 267W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR
488-NTMTSC4D2N10GTXGCT
488-NTMTSC4D2N10GTXGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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