Número de Producto del Fabricante:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventario:
5966 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947946
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ENVIAR
NTMTSC1D6N10MCTXG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 650µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
NTMTSC1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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