Número de Producto del Fabricante:
NTMT190N65S3H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMT190N65S3H-DG
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Inventario:
12963656
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ENVIAR
NTMT190N65S3H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
129W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-TDFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTMT190N65S3HDKR
488-NTMT190N65S3HTR
488-NTMT190N65S3HCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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