Número de Producto del Fabricante:
NTMSD6N303R2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMSD6N303R2G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12845286
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ENVIAR
NTMSD6N303R2G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
FETKY™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 24 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
NTMSD6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-NTMSD6N303R2G
ONSONSNTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2GOS
2156-NTMSD6N303R2G-ONTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificación DIGI
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