Número de Producto del Fabricante:
NTMS7N03R2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMS7N03R2G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12844913
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ENVIAR
NTMS7N03R2G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1190 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
NTMS7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NTMS7N03R2GOSCT
ONSONSNTMS7N03R2G
NTMS7N03R2GOSTR
NTMS7N03R2GOSDKR
NTMS7N03R2GOS
2156-NTMS7N03R2G-OS
NTMS7N03R2GOS-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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