Número de Producto del Fabricante:
NTMD6N02R2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMD6N02R2G-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
9878 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848567
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ENVIAR
NTMD6N02R2G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.92A
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100pF @ 16V
Potencia - Máx.
730mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NTMD6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NTMD6N02R2GOS
NTMD6N02R2GOS-DG
NTMD6N02R2GOSCT
NTMD6N02R2GOSTR
Q8226483ZZZ
2156-NTMD6N02R2G-OS
NTMD6N02R2GOSDKR
ONSONSNTMD6N02R2G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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