Número de Producto del Fabricante:
NTLJF4156NT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTLJF4156NT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventario:
28406 Pcs Nuevos Originales En Stock
12857714
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ENVIAR
NTLJF4156NT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
427 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
NTLJF4156
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
=NTLJF4156NT1GOSCT-DG
NTLJF4156NT1GOSDKR
NTLJF4156NT1GOSCT
ONSONSNTLJF4156NT1G
2156-NTLJF4156NT1G-OS
NTLJF4156NT1GOSTR
NTLJF4156NT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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