Número de Producto del Fabricante:
NTHL080N120SC1A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHL080N120SC1A-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
249 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938853
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ENVIAR
NTHL080N120SC1A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
NTHL080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTHL080N120SC1A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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