Número de Producto del Fabricante:
NTHL060N090SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHL060N090SC1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 46A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
380 Pcs Nuevos Originales En Stock
13275964
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTHL060N090SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
84mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1770 pF @ 450 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
221W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
NTHL060
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTHL060N090SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVTFWS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
NVTFS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK