Número de Producto del Fabricante:
NTH4LN095N65S3H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTH4LN095N65S3H-DG
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
12950505
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ENVIAR
NTH4LN095N65S3H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 2.8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2833 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTH4LN095N65S3H
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFH60N65X2-4
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
33
NÚMERO DE PIEZA
IXFH60N65X2-4-DG
PRECIO UNITARIO
7.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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