Número de Producto del Fabricante:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTGD4167CT1G-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
928248 Pcs Nuevos Originales En Stock
12857549
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ENVIAR
NTGD4167CT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
295pF @ 15V
Potencia - Máx.
900mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
NTGD4167
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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