Número de Producto del Fabricante:
NTD3055L170-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD3055L170-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Through Hole I-PAK
Inventario:
12858682
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ENVIAR
NTD3055L170-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
=NTD3055L170
2156-NTD3055L170-1G-ON
ONSONSNTD3055L170-1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTD3055L104T4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
NTD3055L104T4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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