NTD2955-1G
Número de Producto del Fabricante:

NTD2955-1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTD2955-1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole IPAK

Inventario:

12857823
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NTD2955-1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
55W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD2955

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSNTD2955-1G
NTD2955-1G-DG
NTD2955-1GOS
NTD29551G
2156-NTD2955-1G-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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