NTC040N120SC1
Número de Producto del Fabricante:

NTC040N120SC1

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTC040N120SC1-DG

Descripción:

SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 348W (Tc) Surface Mount Die

Inventario:

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NTC040N120SC1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1781 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NTC040N120SC1
Hoja de datos HTML
NTC040N120SC1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-NTC040N120SC1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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