Número de Producto del Fabricante:
NDS9952A-F011
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDS9952A-F011-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12958363
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ENVIAR
NDS9952A-F011 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
320pF @ 10V
Potencia - Máx.
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NDS995
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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