Número de Producto del Fabricante:
NDS8852H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDS8852H-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12859922
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ENVIAR
NDS8852H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300pF @ 15V
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NDS885
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NDS8852HCT
NDS8852HTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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