Número de Producto del Fabricante:
NDPL100N10BG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDPL100N10BG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 2.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12844833
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ENVIAR
NDPL100N10BG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2950 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
NDPL10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM160N10CZ C0G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
13
NÚMERO DE PIEZA
TSM160N10CZ C0G-DG
PRECIO UNITARIO
2.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FDP085N10A-F102
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
798
NÚMERO DE PIEZA
FDP085N10A-F102-DG
PRECIO UNITARIO
1.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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