Número de Producto del Fabricante:
NDBA100N10BT4H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDBA100N10BT4H-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12856888
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ENVIAR
NDBA100N10BT4H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2950 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NDBA10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2156-NDBA100N10BT4H
2156-DGBA100N10BT4H-ONTR-DG
ONSONSNDBA100N10BT4H
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB047N10
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDB047N10-DG
PRECIO UNITARIO
1.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB067N08N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5515
NÚMERO DE PIEZA
IPB067N08N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTA180N10T7
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTA180N10T7-DG
PRECIO UNITARIO
3.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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