Número de Producto del Fabricante:
HUF76629D3ST-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
HUF76629D3ST-F085-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12836944
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ENVIAR
HUF76629D3ST-F085 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1280 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
HUF76
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
HUF76629D3ST_F085-DG
HUF76629D3ST_F085CT
HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085DKR
HUF76629D3ST_F085DKR-DG
HUF76629D3ST-F085CT
HUF76629D3ST_F085TR-DG
HUF76629D3ST-F085DKR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085CT-DG
HUF76629D3ST_F085TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD15NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2040
NÚMERO DE PIEZA
STD15NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
0.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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