Número de Producto del Fabricante:
HUF75321D3ST
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
HUF75321D3ST-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 20A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
7940 Pcs Nuevos Originales En Stock
12835687
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ENVIAR
HUF75321D3ST Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
HUF75321
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
HUF75321D3STTR
HUF75321D3STDKR
HUF75321D3STCT
HUF75321D3ST-DG
2266-HUF75321D3ST
FAIFSCHUF75321D3ST
2156-HUF75321D3ST-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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