Número de Producto del Fabricante:
FQT1N60CTF-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQT1N60CTF-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
12846485
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ENVIAR
FQT1N60CTF-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
FQT1N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FQT1N60CTF-WSDKR
FQT1N60CTF_WSDKR-DG
FQT1N60CTF_WSTR
FQT1N60CTF-WSCT
FQT1N60CTF_WS
FQT1N60CTF_WSCT-DG
FQT1N60CTF_WSTR-DG
FQT1N60CTF_WSCT
FQT1N60CTF-WSTR
FQT1N60CTFWS
FQT1N60CTF_WSDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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