Número de Producto del Fabricante:
FQPF11P06
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQPF11P06-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 8.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12837064
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ENVIAR
FQPF11P06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
175mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
FQPF11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
FQPF11P06FS
FQPF11P06-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPP15P10PLHXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SPP15P10PLHXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRFI9Z34GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
442
NÚMERO DE PIEZA
IRFI9Z34GPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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