Número de Producto del Fabricante:
FQP3N40
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP3N40-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 2.5A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12838758
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ENVIAR
FQP3N40 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
230 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP3
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF710PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
6746
NÚMERO DE PIEZA
IRF710PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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