Número de Producto del Fabricante:
FQP2P40-F080
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP2P40-F080-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 400 V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12847054
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ENVIAR
FQP2P40-F080 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
FQP2P40-F080OS
FQP2P40_F080
FQP2P40-F080-DG
FQP2P40_F080-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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