FQD1P50TM
Número de Producto del Fabricante:

FQD1P50TM

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQD1P50TM-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 500 V 1.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

12837790
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FQD1P50TM Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD1

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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