Número de Producto del Fabricante:
FQB47P06TM-AM002
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB47P06TM-AM002-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1255 Pcs Nuevos Originales En Stock
12836726
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ENVIAR
FQB47P06TM-AM002 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB47P06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB47P06TM_AM002TR-DG
FQB47P06TM-AM002TR
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TM-AM002CT
FQB47P06TM_AM002
FQB47P06TM_AM002CT
FQB47P06TM_AM002-DG
FQB47P06TM_AM002DKR-DG
FQB47P06TMAM002
FQB47P06TM_AM002CT-DG
FQB47P06TM-AM002DKR
FQB47P06TM_AM002DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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