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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FQB25N33TM-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB25N33TM-F085-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12836972
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ENVIAR
FQB25N33TM-F085 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
330 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2010 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FQB25N33TM-F085
Hoja de datos HTML
FQB25N33TM-F085-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB25N33TM_F085
FQB25N33TM-F085OSCT
FQB25N33TM-F085OSDKR
FQB25N33TM-F085OSTR
FQB25N33TM_F085-DG
2832-FQB25N33TM-F085TR
2832-FQB25N33TM-F085-488
FQB25N33TM-F085-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFA26N50P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFA26N50P3-DG
PRECIO UNITARIO
3.90
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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