Número de Producto del Fabricante:
FQAF33N10L
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQAF33N10L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12930526
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ENVIAR
FQAF33N10L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
FQAF3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP140NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFP140NPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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