Número de Producto del Fabricante:
FQA47P06
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA47P06-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 55A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12850953
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ENVIAR
FQA47P06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTH52P10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
179
NÚMERO DE PIEZA
IXTH52P10P-DG
PRECIO UNITARIO
4.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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