FQA13N80
Número de Producto del Fabricante:

FQA13N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQA13N80-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventario:

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FQA13N80 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA1

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FQA13N80-F109
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
76
NÚMERO DE PIEZA
FQA13N80-F109-DG
PRECIO UNITARIO
2.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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