Número de Producto del Fabricante:
FQA10N80C-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA10N80C-F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12838452
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ENVIAR
FQA10N80C-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
ONSONSFQA10N80C-F109
FQA10N80C_F109FS-DG
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-DG
FQA10N80CF109
2156-FQA10N80C-F109-OS
FQA10N80C_F109FS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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