Número de Producto del Fabricante:
FJN3314RTA
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FJN3314RTA-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventario:
12850203
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ENVIAR
FJN3314RTA Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250 MHz
Potencia - Máx.
300 mW
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Número de producto base
FJN331
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
FJN3314RTATB
FJN3314RTACT
FJN3314RTA-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MMUN2233LT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
37448
NÚMERO DE PIEZA
MMUN2233LT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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