FDW258P
Número de Producto del Fabricante:

FDW258P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDW258P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventario:

12846528
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FDW258P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5049 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
FDW25

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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