FDW258P

Número de Producto del Fabricante:

FDW258P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDW258P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP

Descripción Detallada:

P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventario:

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12846528

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FDW258P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

12 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

9A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

11mOhm @ 9A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

73 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5049 pF @ 5 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-TSSOP

Paquete / Caja

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Número de producto base

FDW25

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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