Número de Producto del Fabricante:
FDS6162N3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS6162N3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventario:
12850681
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ENVIAR
FDS6162N3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO FLMP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
FDS61
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS6162N3CT-NDR
FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-DG
FDS6162N3_NLTR
FDS6162N3CT
FDS6162N3TR-NDR
FDS6162N3TR
FDS6162N3_NLTR-DG
FDS6162N3DKR
FDS6162N3_NL
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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