Número de Producto del Fabricante:
FDS5170N7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS5170N7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventario:
12840443
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ENVIAR
FDS5170N7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2889 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO FLMP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
FDS51
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificación DIGI
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