Número de Producto del Fabricante:
FDR8308P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDR8308P-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Inventario:
12839701
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDR8308P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1240pF @ 10V
Potencia - Máx.
800mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-8
Número de producto base
FDR83
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDR8308P-DG
FDR8308PTR
FDR8308PDKR
FDR8308PCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC6306P
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4981
NÚMERO DE PIEZA
FDC6306P-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDG6301N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
FDMC89521L
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
