Número de Producto del Fabricante:
FDP6670AL
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP6670AL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12845847
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ENVIAR
FDP6670AL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2440 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP66
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP055N03LGXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5965
NÚMERO DE PIEZA
IPP055N03LGXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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